技术编号:3324857
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜,再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中,进行光化学沉积,得到铜铟镓硒薄膜;该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中,可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌,制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控,有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题,且该方法原料利用率高,成本低,可大规...
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