技术编号:3325347
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括储靶腔,用于储存备用的所述靶材;制备腔,通过离子束溅射在靶材表面并在基片表面反溅沉积多层薄膜材料从而形成组合材料芯片前驱体;以及换靶腔,在所述制备腔和所述储靶腔之间传递或存取所述靶材;其中,所述储靶腔内、所述制备腔内、以及所述换靶腔内均为真空状态。本发明提供的高通量组合材料制备装置及制备方法避免了靶材的污染,并减少制备装置内氧气等污染源对薄膜造成的污染,从而能够得到高品质的高通量组合材料芯片。专利说明 [0001]本发明涉及材料制备...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。