技术编号:3325783
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯薄膜的制备,尤其涉及。,其特征在于,包括以下步骤在金属基底上涂布一层碳源溶液,并烘干碳源溶液至固化;将金属基底表面固化后的碳源溶液图形化形成多个固态碳源;将整个金属基底放入CVD反应腔中,进行石墨烯成核,使得固态碳源的碳原子重组定点成核;在碳原子重组定点成核后,碳原子扩散至整个金属基底上,形成石墨烯薄膜;对生成的石墨烯薄膜进行冷却降温,完成石墨烯薄膜的制备。本发明的有益效果是步骤简单、操作方便、减少了能耗,提高了生产效率,可通过涂布碳源溶液...
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