技术编号:3329492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体硅太阳电池制作工艺,尤其是一种适用于板式PECVD氧化铝钝化膜的多晶硅片的钝化处理方法。背景技术ALD(原子层沉积)钝化技术有钝化效果稳定、钝化膜致密的优点,但沉积速度慢, 极大的限制了其在工业中的应用,而使用PECVD法可对多晶硅片进行快速等离子氧化铝钝化膜沉积,有巨大的应用前景。但目前PECVD氧化铝钝化膜所面临的主要问题一个是钝化效果,一个是烧结后的热稳定性。发明内容本发明要解决的技术问题是克服现有技术中之不足,提供一种可提高硅片钝化效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。