技术编号:33347757
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。含硅膜中的杂质减量通过引用并入.pct申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的pct申请表中所确定的本申请主张其权益或者优先权的每个申请均通过引用全文并入本文并用于所有目的。背景技术.半导体设备的制造涉及许多不同工艺,包括例如沉积及蚀刻。沉积常用的一种材料为硅氧化物。.这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。发明...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。