技术编号：3335146
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于太阳能电池生产。背景技术在硅基薄膜太阳能电池实际生产过程 中，通常采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺进行太阳能电池的透明导电电极一透明导电氧化物(TCO)的沉积。LPCVD设备通常由一个预加热腔室、几个工艺反应腔室和一个冷却卸载腔室组成，镀膜衬底需要依次连续经过上述几个腔室完成LPCVD工艺。在进行LPCVD工艺过程中，由于设备异常或生产过程控制不当造成镀膜衬底在腔室中等待，即LPCVD工艺中断。镀膜衬底在LPCVD设备中的等待时间...
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