技术编号:3336228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学机械抛光组合物及其使用方法。更具体来说,本发明涉及用来对包含锗-锑-碲相变合金的基片进行抛光的化学机械抛光组合物。背景技术使用相变材料的相变随机存取存储器(PRAM)设备已经成为下一代存储器设备的首选,其中的相变材料可以在通常为非晶态的绝缘材料和通常为晶态的导电材料之间发生电转变。所述下一代PRAM设备可以代替常规的固态存储设备,例如动态随机存取存储器-DRAM-设备;静态随机存取存储器一SRAM-设备,可擦可编程只读存储器一EPR0M-设备...
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