技术编号:33424310
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领技,尤其涉及一种异质结双极晶体管结构及其形成方法。背景技术.异质结双极性晶体管(heterojunction bipolar transistor,hbt)是一种双极性晶体管。它的发射区和基区使用了不同的半导体材料,发射结(即发射区和基区之间的pn结)形成异质结,hbt比一般的双极性晶体管具有更好的高频信号特性和基区发射效率,可以在高达数百ghz的信号下工作。因此,hbt在现代的高速电路、射频系统和移动电话中应用广泛。.当半导体与金属接触时,多会形成势垒层,但当半导...
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