技术编号:3343002
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,涉及一种太阳能光伏产业所需的金属溅射靶材及其制备方法,尤其涉及。背景技术铜铟镓硒(CuIrvxGaxSe, CIGS)薄膜太阳能电池具有成本低、性能稳定、抗辐射能力强、光谱响应范围广等优点。CIGS薄膜太阳能电池是多层化合物和金属薄膜材料。其中,CIGS吸收层是太阳能电池最关键的组成部分,其质量将直接决定电池的性能。CIGS是1-1I1-VI族四元化合物半导体材料,属黄铜矿结构。目前制备CIGS的方法很多,但主要有两种思路多元分步蒸发和金...
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