技术编号:3343693
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅片的生产方法,特别是涉及一种重掺单晶硅片先碱腐蚀后酸 腐蚀的腐蚀工艺。背景技术硅抛光片主要加工流程包括单晶生长一滚磨一切片一倒角一研磨一腐蚀一抛 光一清洗一包装等。其中腐蚀是重要的生产工序,它的作用是除去硅单晶硅片经过 切片、研磨等机械加工后,其表面因机械加工产生的应力而形成有一定深度的机械 应力损伤层。通常的方法是采用一定浓度和一定温度下的酸腐蚀液或碱腐蚀液与单 晶硅片发生化学反应,从而达到去除损伤层的目的。其中,碱腐蚀工艺的原理是 Si...
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