技术编号:33439606
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。fifth international conference on advanced semiconductor devices and microsystems,.asdam.发明内容(一)要解决的技术问题.如所述那样,高电阻率化有效地改善传输损耗,但硅基板的高电阻率化非常难,如果要获得例如比ω·cm高的电阻率,则在p型的硼的情况下,需要成为×atoms/cm这种极低的掺杂剂浓度,由于原料中的杂质的影响而更加难以高电阻率化。.本发明为了解决上述问题而...
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