技术编号:3344350
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体处理和光学涂层。具体地,本发明涉及衬底上的物理气相沉积。2.现有技术电子束蒸发通常用于在已知为镀金属的过程中向晶片涂覆薄金属层。通常,在典型的硅晶片制造中,金属层沉积之后进行蚀刻以形成集成电路的电路迹线。对于高频率集成电路,砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和二者之间的多种合金及类似的电光材料现在通常用作衬底。然而,一些金属在其表面上形成表皮氧化物,这在本领域称为“表皮效应”。在使用高频率功率的电路中,这是问题所在。这对于蜂窝装置中...
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