技术编号:33448784
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储装置及其制造方法.[相关申请]本申请享有以日本专利申请-号(申请日:年月日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。技术领域本实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。背景技术作为半导体存储装置,已知有nand(not and,与非)闪存。发明内容本实施方式提供一种能够抑制芯片面积增大、且抑制nand串的信道电阻增大的半导体存储装置及其制造方法。本实施方式的半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。