技术编号：33451081
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的dram器件技术领域.本公开涉及一种垂直沟道单元阵列晶体管结构和/或包括其的动态随机存取存储器(dram)器件。背景技术.动态随机存取存储器(dram)器件中的每个单位器件可以具有包括一个晶体管和一个电容器的tc结构。随着器件集成度的不断提高，已经提出用于减小在平面图中每个单位器件的面积的结构。凹陷沟道单元阵列晶体管(rcat)结构最初应用于dram器件，但是现在掩埋沟道单元阵列晶体管(bcat)可购买到。近来已经开发其中晶体管被垂直布置的垂直沟道单元...
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