技术编号:33452089
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及集成电路领域,具体而言,涉及一种具有超薄存储元的存储器。背景技术.交叉阵列(cross point)存储器的存储元面积小(f),可实现三维堆叠。如图所示,存储元含有第一地址线、第二地址线、以及介于它们之间的存储膜(存储膜包括所有介于第一地址线和第二地址线的薄膜)。存储膜一般含有选通(selector)膜和编程(programmable)膜。其中,选通膜用于避免的相邻存储元之间的干扰,它具有两个易失的状态(低阻态和高阻态,分别代表“...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。