技术编号:33452789
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开实施例涉及但不限于半导体领域,尤其涉及一种存储设备及其操作方法、存储系统。背景技术.nand存储器作为一种非易失性存储器,具有成本低、容量高、改写速度快等优点。在nand存储器中,编程方案是提高存储器性能一个重要而又关键的项目,通常采用步进脉冲编程(incremental step pulse programming,issp)的编程方案,即利用逐步增大的编程电压对存储器中待编程的存储单元进行编程。.通过采用多态存储技术可提高存储器的存储密度。例如,存储单元(cell)中可以存放...
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