技术编号:3345713
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种加工性能和耐脆化性能优良,适合于形成可用作高介电栅绝缘膜的HfSiO膜和HfSiON膜的硅化铪靶材及其制备方法。另外,说明书中使用的单位“ppm”在所有的情况下均意指重量ppm。通常,人们把SiO2膜用作栅绝缘膜,就界面特性来说,这种膜是最优良的膜,另外,还有一个特性就是,用作栅绝缘膜的SiO2膜越薄,载流子数(即,电子或电子空穴)就越增加,源漏电流也会由此而增加。根据上述情况,每次由于布线小型化而降低电源电压的时候,一贯是在不损坏绝缘破坏可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。