技术编号:3345818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铟离子产生装置及使用该铟离子产生装置的铟离子产生方法,尤其涉及使用固态含铟化合物加热产生铟离子的。背景技术随着半导体行业的飞速发展,向半导体元件内注入离子化的铟已经广泛的应用在各种半导体器件工艺中。目前的工艺中,注入离子化的铟时使用的铟源是固体源,如InCl3。使用坩埚来加热InCl3使其升华变成气体后在电弧室电离形成正价铟离子。而在半导体器件工艺中,其他元素(如As、P、B、BF)的离子注入使用的都是气体源,可以直接电离产生正离子。 现有技...
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