技术编号:3345899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光方法,尤其用于相变材料的化学机械抛光方法。背景技术1966年9月奥弗辛斯基(Stanford Ovshinsky)提交了第一个有关基于GST合金的相变存储器(Phase change memory,简称PCM)的专利。之后在1968年,奥弗辛斯基(Stanford Ovshinsky)又发表了第一篇关于非晶体相变的论文,仓ll立了非晶体半导体学。相变材料在数据存储过程中,其由非晶体状态变成晶体,再变回非晶体的过程中,其非晶体和晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。