技术编号:3346386
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术太阳能行业在拉晶和铸锭过程中,从坩埚扩散到硅料的金属元素扩散严重制约产品的少子寿命,并最终影响电池的性能。致密的非晶陶瓷薄膜具有较强的离子扩散阻挡能力。薄膜制备方法通常有下述几种1.非晶氮化硅的化学气相沉积法该方法是一种成熟的薄膜制备方法,该法制备的薄膜致密均勻,但沉积速度有限,通常厚度为纳米级至若干个微米。2.雾化喷涂烧结法将坩埚与涂层一同烧结,坩埚本身的软化温度限制了可加工材料的选择,不适合制备高熔点材料的致密涂层。3.火焰喷...
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