技术编号:33475242
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及单晶硅制备技术领域,具体为单晶炉、单晶炉加热装置及单晶炉的加热方法。背景技术.生产单晶硅常用的方法为直拉法,通过提拉单晶炉内坩埚中的液体硅料,可以形成纯度较高的硅棒,采用直拉法生产单晶硅时,单晶炉内需要设置用于给坩埚加热的加热装置;直拉单晶炉是在惰性气体环境中,使用加热器将多晶硅等多晶材料融化,并采用直拉法生长无位错单晶的设备;加热器是单晶炉热场的核心部件,提供多晶融化长晶的热能。.对于现有公告号为cnu的中国专利文件公开了单晶炉加热器及单晶炉加热系统;其针对...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。