技术编号：33479154
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置。背景技术.目前，半导体制造工艺中光刻机的分辨率都有相应的极限，例如nm，当工艺需要的图形是低于nm的线宽或者孔时，光刻机便不能很好的将图形曝光出来，这时候用的较多的是双重曝光。然而现有自对准双重曝光工艺步骤有光刻-沉积-刻蚀等工艺步骤，相对繁琐且对设备要求较高，例如申请号为.的发明专利申请《一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法及装置》，申请号为...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。