技术编号：33483695
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。自对准多晶硅单晶硅混合mems垂直电极及其制造方法技术领域.本发明属于微电子晶圆加工的技术领域，具体是涉及一种自对准多晶硅单晶硅混合mems垂直电极及其制造方法。背景技术.mems(micro-electro-mechanical system)芯片中通常具有可动结构、支撑可动结构的固定结构和弹簧结构、固定电极以及为可动结构提供自由活动空间的腔体。一些mems芯片结构需要驱动结构，为mems可动结构提供运动动力，这些动力包括静电力、磁力、流体压力、压电力等等，其中最广泛的是静电力，例如mem...
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