磁控管溅射的制作方法技术资料下载

技术编号:3349742

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本发明涉及一种磁控管溅射的装置及其方法。背景技术 在颁发给Lai的US专利No.5,593,551中,描述了一种磁控管溅射的装置和方法,其专利的内容在此作为参考,其中一个第一闭环磁铁装置放置在盘形溅射靶背面附近,用于形成通到溅射靶前表面的闭环磁通道,构成磁铁装置的是围绕盘形溅射靶中心轴的多个磁铁,它们针对衬底来约束和引导等离子体。此专利的改进之处在于有一个第二闭环磁铁装置,它位于溅射靶的周围,并由一些补偿磁铁组成,这些磁铁可以是永久磁铁也可以是电磁铁,它们...
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