技术编号:3349742
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁控管溅射的装置及其方法。背景技术 在颁发给Lai的US专利No.5,593,551中,描述了一种磁控管溅射的装置和方法,其专利的内容在此作为参考,其中一个第一闭环磁铁装置放置在盘形溅射靶背面附近,用于形成通到溅射靶前表面的闭环磁通道,构成磁铁装置的是围绕盘形溅射靶中心轴的多个磁铁,它们针对衬底来约束和引导等离子体。此专利的改进之处在于有一个第二闭环磁铁装置,它位于溅射靶的周围,并由一些补偿磁铁组成,这些磁铁可以是永久磁铁也可以是电磁铁,它们...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。