技术编号:3349847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及I1-VI族半导体材料,具体是指一种用于碲镉汞(HghCd/Te)外 延薄膜材料和碲锌镉(CdnZnyTe)衬底体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法。技术背景Hgl-xCdxTe是一种极其重要的红外探测材料,通常由Cd卜yZrVTe衬底上外延 HghCd;Te薄膜,因此研究其材料的位错密度(EPD)具有重要的意义。目前揭示 Cd卜yZnyTe体材料和Hgl—xCdJe薄膜材料位错密度的腐蚀剂有很多种。对于 HghC4Te薄膜材料的常用腐蚀剂有两种, ...
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