技术编号:3350015
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体晶片的抛光和平面化系统、装置和方法,特别是涉及采用了多重平面化压力区域以便在整个半导体晶片上获得高等级平面化均匀度的系统、装置和方法。背景技术 随着半导体基片或晶片上的技术特征尺寸减小、密度增大和晶片尺寸增加,对化学机械平面化(CMP)工艺的需求变得更加迫切了。从以低成本制造半导体制品的角度看,不同晶片之间的加工均匀性以及晶片内平面化均匀性构成了重要影响因素。随着芯片或晶片的尺寸增大,小面积的瑕疵可能会导致相对较大的电路成为废品,因此...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。