技术编号:3350308
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。多元共蒸发制^镓,多晶薄膜的方法C本发明属刊恪大面积化,半导体薄膜材料和器件的,特别是一种在M或其他 Mr衬底idS行多元共蒸发制备m—Vm^tl半导体铟镓锑(InGaSb)类多晶薄膜的方法,该方&fe可以制备合金薄,料与器件。 c背景技术热光伏技术是将受热高温热辐射体的倉^S151半导体p/n结电池直接转换成电能的技术。上世 纪60年代,美国麻省理工学院的研究人员给出了,的热光伏系统的原理和概念,但限于当时的 技术^l牛, 一直处于理论研究阶段。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。