技术编号:33504269
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种读出电路和数据读出方法。背景技术.动态随机存取存储存储器(dynamic random access memory,dram)通过单元电容中的电荷来写入数据;单元电容连接至位线和互补位线,在dram中,当执行读取操作或刷新操作时,读出放大器读出并放大位线和互补位线之间的电压差。.构成读出放大器的半导体器件可能由于工艺变化、温度等因素的影响从而具有不同的器件特性(例如,阈值电压)。不同的器件特性会导致读出放大器中的产生偏移噪声,而偏移噪声会降低读出...
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