技术编号:33504735
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体制造领域,尤其涉及一种硬掩膜的制作方法、图形的制作方法及半导体结构。背景技术.在半导体制造过程中,特征尺寸越来越小,并趋近于曝光系统的理论极限,光刻后硅片表面的成像将产生严重的畸变,即产生光学邻近效应。由此,发展了自对准双重成像技术,其原理是经过一次光刻后,在第一次光刻图形周围淀积侧墙,再通过刻蚀实现对空间图形的倍频。.但是,在第一次光刻图形周围淀积侧墙的过程中,一般在硬遮罩上采用离子式原子堆叠氧化硅,会破坏硬遮罩的形状,从而无法精准控制硬遮罩破坏程度导致后续关键尺寸大小...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。