技术编号：33506145
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明的实施例涉及半导体技术领域，更具体地，涉及电阻式存储器器件及其形成方法。背景技术.电阻式存储器器件使用可以提供至少两种电阻状态的存储器元件，从而提供不同的电阻水平。新兴的电阻式存储器器件技术的一个示例是电阻式随机存取存储器(rram或reram)。reram器件是一种非易失性存储器器件，它通过改变固态介电材料的电阻来操作。其他使用类似电阻式切换原理的新兴非易失性存储器技术包括相变存储器(pcm)、磁阻式随机存取存储器(mram)、导电桥ram(cbram)和碳纳米管(cnt)存储器。...
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