技术编号:3350902
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种用于制造薄膜太阳 能电池的。背景技术目前,大面积硅薄膜太阳能电池的开发已受到世界范围的广泛关注。 薄膜太阳能电池用硅量极少,在国际市场硅原材料持续紧张的情况下, 薄膜太阳电池已成为太阳能电池发展的新趋势和新热点,硅晶太阳能电 池必然为硅薄膜太阳能电池所取代。薄膜太阳能电池是多层器件,典型的薄膜太阳能电池通常具有由p、 i和n型半导体硅薄膜组成的p-i-n结构, 其中p、 i和n分別为p型摻杂、i型(非掺杂的层)和n型摻杂的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。