技术编号:3350914
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 相互弓阅的相关申请本申请根据35 US.C. § 119 (e)的规定,要求享有于2007年2月5日申请的、 系列号为60/899,458的在先美国专利申请的优先权,其公幵的内容在此全文引 入作为参考。发明背景本发明涉及通过化学气相沉积(CVD)法律格的低介电常数材料,其作为电子 器件的绝缘层。尤其是,本发明提供一种在其作为低介电常数材料的前体的制 备中纯化有机硅组合物的方法,以确保一些杂质处于低浓度,由此,氏或消除 与这 质的沉淀有关的工艺问题。电子工...
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