技术编号:3351254
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种。特定言之,本发明是关 于一种可使得前驱物流体得以实质上稳定地导入化学气相沉积室的操作方法。背景技术化学气相沉积(chemical vapor deposition )方法在半导体工艺中扮演一 个重要的角色。化学气相沉积可以达成各种特定材料在晶片上建立与成长一 层固态薄膜,例如多晶硅层、层间介电层(ILD)、金属层间介电层(IMI))、浅 沟槽隔离(STI)、与保护层(passivation)等,其薄膜厚度范围从低于0.5微米到 数微米不等...
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