技术编号:3351362
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种等离子体反应腔室 预处理方法。背景技术等离子体是一种中性、高能量及离子化的气体,在一个有限的工艺腔 内,利用强直流或交流电磁场或是用某些电子源轰击气体原子都会导致 气体原子的离子化。当前,半导体制程中,由于等离子体可以提供发生 在硅片表面的气体反应所需的大部分能量,而被广泛应用于集成电路制造的各个步骤。例如,在高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)中, 热能场内用等离子体离子化并激发一个气体源来淀积薄膜;此外,等离 子...
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