技术编号:3351379
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种等离子体设备,尤其涉及一种平板加热器及等离子体加工设备。 背景技术在多晶硅太阳能电池制造及其它的半导体器件制造的等离子体加工工艺中,PECVD (等离子增强化学气相淀积)设备用来在基板表面上实现薄膜沉积。等离子体能量增加了 反应粒子的活性,在300r 500r温度下使工艺气体实现解离、反应、沉积等工艺过程。如图1所示,现有技术中的PECVD的工艺腔室5中,基板6放置于工艺腔室5内的平板加 热器7上,平板加热器7同时作为下电极板,与进气匀流板8...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。