技术编号:3351890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导 |件的制造中,增加的密度和鹏已导致金属化体系中从铝(Al)到铜(Cu)的转变,以减少导体的电阻。为了减少相邻金属线之间的电容耦合,具剤战介电常数的材料被用来在相邻金属线之间形成介电层(dielectriclayere)。此外,为了防止含铜材禾4TMA周围的f狄介电层,^^属层和介电层之间置入了扩散阻挡层。然而,由于电迁移耐力(electromigration resistance)和空洞形成的可靠性问题,铜和扩散阻挡层之间的粘合是主要的问题。对于现...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。