技术编号：3351908
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于化学机械研磨的。技术背景化学机械研磨(CMP)是使用研磨垫进行衬底表面平坦化的程序。CMP—般应用于 研磨透镜、镜子、液晶显示器的衬底、硅晶片和硅晶片上的氧化层和/或金属层。以硅晶片为例，首先将单晶硅的结晶块切片。通常磨光所述晶片使其变平以供随 后进行化学蚀刻。在蚀刻过程之后需要研磨工艺。在研磨工艺期间，研磨垫连同浆液一起 与晶片表面上的硅原子进行化学反应，以使得经反应的表面比底下的硅柔软。此外，持续抹 除经反应的表面，可使新鲜硅暴露于浆...
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