技术编号:3352441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及 一 种用于制造含有从轻元素选择的至少 一 种元 素和从镧系元素选择的至少 一种元素的镧系化合物,特别是含 有硼和镧的硼镧化合物的薄膜的设备以及该薄膜的制造方法。背景技术如在日本特开平1-286228、日本特开平3-232959和日本特 开平3-101033中所7>开的,作为使用镧系元素基化合物的电子 产生膜,已知有如LaB6等的硼镧化合物薄膜。另夕卜,在日本特开平1-286228、日本特开平3-232959和日 本特开平3-101033中...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。