技术编号：3352567
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子加强化学气相沉积PECVD工艺，尤其涉及一种PECVD设备。 背景技术在硅基薄膜太阳能电池片的生产过程中，需要在等离子加强化学气相沉积 (Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition， PECVD)设备中完成镀膜工艺，现有的实 践发现PECVD设备如果长时间停止运行，再次恢复使用后生成的第一片电池片目视检查与 正常产品有颜色差异，经测试光电转化效率也比正常产品低15%以上，业界也称为第一电 池片效应。 分...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。