技术编号:3352571
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适用于半导体装置的形成布线工序中研磨的化学机械研磨用的研磨 剂,和用它研磨基板的方法。背景技术近年来,伴随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化和高性能化,开发了 新型的细微加工技术。化学机械研磨法(以下记作CMP)就是其中一种,是在LSI制造工序、 特别是在形成多层布线工序中的层间绝缘膜的平坦化、形成金属栓塞、形成埋入布线中,频 繁利用的技术。该技术公开在如美国专利第4944836号公报中。 最近,为了使LSI高性能化,作为布线材料,试用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。