技术编号:3352573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种导电材料的退火处理方法,更具体地说涉及一种IC制造过程中 A1-0. 5Cu导电层退火处理的方法。背景技术在IC(集成电路)制造领域,A1-0.5CU合金材料被广泛应用于芯片导电层。在 A1-0. 5Cu合金材料中,Cu元素的掺入可以减弱电迁移,提高芯片的使用寿命。但局部饱和的Cu会从合金晶相中析出,形成富铜区域。该富铜区域在后续的蚀刻 过程中很难被完全蚀刻,残留下的部分铜会导致金属(metalline)之间短路,影响晶片的 电学性能,同时也...
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