技术编号：3352707
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硼靶的制备方法。背景技术 自从2001年日本青山学院的秋光纯教授发现了MgB2超导体以来，MgB2由于其高的载流子浓度，良好的延展性，较长的相干性以及不存在弱连接，因此在实际应用中具有巨大的潜力，而薄膜是制备超导器件的基础，在制备薄膜的方法中脉冲激光法、溅射法和电子枪法沉积MgB2以其膜的化学组分与靶的化学组分一致，沉积速度快，应用范围广等优点已成为主要的薄膜生长技术。但因为B的熔点高于2000℃，所以硼靶的制备一直是一个比较麻烦的环节，参见...
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