技术编号:3353066
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体地,是一种具有稀磁半导体特性的薄膜的制备方法。 背景技术近年来,由于在磁信息存储和读取方面具有巨大的应用前景,自旋电子学材料备 受关注。2007年的诺贝尔物理学奖授予了自旋电子学的开创者Albert Fert和Peter Grtoberg两位教授。现在,如何获取高自旋极化的电流仍然是自旋电子学领域的热点问题 之一。获得高自旋注入的办法主要有选择高自旋极化率的电极材料和制备稀磁性半导体材 料。 稀磁半导体是指由磁性过渡族金属元素或者稀土金属...
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