技术编号:3353258
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁电阻器件领域。具体地,本发明涉及一种Ni-Co-Mn-h变磁合金及 其制备处理方法和用途。背景技术由于磁电阻效应在磁存储、读写磁头和相关器件中的广泛应用,人们对磁电阻效 应的研究兴趣日趋高涨。近些年来,人们相继在磁颗粒体系、磁多层膜、钙钛矿锰氧化物 及其薄膜系统中发现巨磁电阻(Giant magnetoresistance, GMR)和庞磁电阻(Colossal magnetoresistance, CMR)效应。2007年度诺贝尔物理学奖授予...
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