技术编号:3353333
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提高在氮化硅(SiN)和碳氮化硅(SiCN)薄膜的等离子增强化学 气相沉积(PECVD)中本征压应力的方法。背景技术本发明属于集成电路制造领域以及特别是薄膜中结构的材料,所述薄膜与集成电 路中的电子器件相邻接或为之一部分,例如晶体管、电容、导通孔(vias)、导电线路以及母 线(buss bars)。由于此类电子器件的尺寸持续不断缩小以及此类器件在给定区域内的密 度增加,与此类电子器件相邻接或为之一部分的薄膜势必要显示出更高的电特性。设计应 ...
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