技术编号：3353340
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术，特别涉及一种在化学机械研磨过程中防止钨塞凹陷 缺陷的方法。背景技术目前，在半导体器件的制程后段工艺中，也就是在半导体器件层形成之后，需要在 半导体器件之上形成金属互连层，每层金属互连层包括金属互连线和层间介质层(ILD)，这 就需要对上述层间介质层制造通孔，然后在通孔中沉积金属，沉积的金属即为金属互连线。 通常，钨被用来作为沉积通孔填充薄膜及在第一金属互连层和半导体器件上的硅化物接触 之间作为填充物使用。当采用钨填充层间介质层中的...
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