技术编号：3353353
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种束流诊断装置，特别是涉及一种用于测量离子束密度分布和角度 分布的装置及方法、以及相应的控制离子束密度分布和角度分布的方法。背景技术离子注入方法用于把通常称之为杂质的原子或分子引入靶标基片，从而改变基片 材料的物理和化学性能。尤其令人感兴趣的是，用离子注入法在单晶或多晶硅中掺杂，是制 造现代集成电路中使用的一种常规工艺过程。由于半导体产品的生产逐渐趋向较大的半导 体晶圆(从8英寸到12英寸，而现在已向18英寸发展)工艺，单晶圆工艺(一次处理一片...
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