技术编号:3353885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术目前,镀膜的方法一般包括化学气相沉积方法以及物理气相沉积方法。例如,在半 导体的金属连接层中包括TiN,W,AlCu层,其中TiN与W层使用化学气相沉积制程进行喷 镀,而AlCu层则是使用物理气相沉积制程进行喷镀。在传统工艺中,制备这样的半导体元 件一般需要进行物理与化学镀膜制程的转换,当进行完一种镀膜制程后,需要破除真空取 出被镀物,然后移至下一个镀膜制程。但是在镀膜制程转换过程中,半导体元件由于接触空 气,所以表面容易产生氧化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。