技术编号：3354165
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计，具体涉及一种化学机械研磨 工艺建模的实验方法。背景技术化学机械研磨(ChemicalMechanical Polishing, CMP)是集成电路制造中所应用 的表面平坦化工艺，是化学腐蚀和机械研磨的组合技术，它借助抛光液的化学腐蚀作用以 及超微粒子的研磨作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦表面，该方法既可以获得较完 美的表面，又可以得到较高的抛光速率，被公认为是超大规模集成电路阶段最好的晶圆全 局平坦化方法。集成电路...
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