技术编号：3354168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 本发明一般涉及用于化学机械抛光(CMP)的抛光垫领域。尤其是，本发明针对改善抛光性能的抛光垫沟槽。 在半导体晶片上制造集成电路和其它电子器件时，将多层导体、半导体和介质材料沉积在晶片上并从该晶片蚀刻。这些材料薄层可以通过许多沉积技术沉积。现代晶片处理的常见沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电化学喷镀。常见的蚀刻技术包括湿式和干式的各向同性和各向异性蚀刻等。 由于连续地...
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